SK 海力士此前已宣布了 16 层堆叠 HBM3E，而从整体来看 HBM 内存将于 HBM4 开始正式转向 16 层堆叠。由于无凸块的混合键合技术尚不成熟，传统有凸块方案预计仍将是 HBM4 16Hi 的主流键合技术。

更多的 DRAM Die 层数意味着 HBM4 16Hi 需要进一步地压缩层间间隙，以保证整体堆栈高度维持在 775 μm（ 注：即 0.775 mm）的限制内。

在这一背景下，三大内存原厂均注意到了现有 HBM 键合工艺使用的助焊剂：助焊剂可清理 DRAM Die 表面的氧化层，保证键合过程中机械和电气连接不会受到氧化层影响；但助焊剂的残余也会扩大各 Die 之间的间隙，提升整体堆栈高度。

消息人士表示，三大 HBM 内存原厂对无助焊剂键合的准备程度不同：美光在与合作伙伴测试工艺方面最为积极、SK 海力士考虑导入、三星电子也对此密切关注。